МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники
Книга "МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники"
Авторы: Р. Х. Акчурин
Издатель: Техносфера
Серия: Мир материалов и технологий (Техносфера)
Год издания 2018
ISBN: 978-5-94836-521-3
Описание
В книге рассмотрены теоретические и практические аспекты МОС-гидридной эпитаксии (МОСГЭ) – одного из наиболее гибких и производительных современных методов получения полупроводниковых структур. Кратко изложены физико-химические основы метода, приведено описание высокопроизводительного технологического оборудования для реализации МОСГЭ и методов контроля роста эпитаксиальных слоев in situ , затронуты вопросы моделирования процессов. Практические аспекты реализации метода подробно рассмотрены на примере формирования эпитаксиальных структур полупроводников AIIIBV, AIIBVI и твердых растворов на их основе – основных материалов современной оптоэлектроники и ИК-техники. Значительное внимание уделено формированию наноразмерных эпитаксиальных структур и гетероструктур на основе нитридов элементов III группы, технология которых получила стремительное развитие в последние годы. Рассмотрены вопросы адаптации метода МОСГЭ к получению ряда новых материалов электронной техники. Книга предназначена специалистам в области технологии полупроводниковых материалов, может быть полезна аспирантам и студентам соответствующих специальностей.
Характеристики
- параметрPDF
- Наименование МОС-гидридная эпитаксия в технологии материалов фотоники и электроники
- Категория знания и навыки/учебная и научная литература/монографии
- Авторы Р. Х. Акчурин
- Издатель Техносфера
- Год издания 2018
- Серия Мир материалов и технологий (Техносфера)
- ISBN 978-5-94836-521-3
- Тип Книга
- Продавец Литрес
- Актуальность 28.05.2026
Еще в этой категории
Другие интернет-магазины
